文献
J-GLOBAL ID:201002241857653572
整理番号:10A0672295
二酸化ケイ素に基づく膜の選択エッチング化学の式
Formulation of Selective Etch Chemistries for Silicon Dioxide-Based Films
著者 (3件):
PANDE Ashish A.
(Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
,
LEVITIN Galit
(Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
,
HESS Dennis W.
(Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
157
号:
6
ページ:
G147-G153
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)