文献
J-GLOBAL ID:201002242114287470
整理番号:10A0135712
単一ドーパント原子の電界効果ケイ素トランジスタについて実現した三進論理
Ternary logic implemented on a single dopant atom field effect silicon transistor
著者 (7件):
KLEIN M.
(The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR)
,
MOL J. A.
(Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD)
,
VERDUIJN J.
(Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD)
,
LANSBERGEN G. P.
(Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD)
,
ROGGE S.
(Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, NLD)
,
LEVINE R. D.
(The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR)
,
REMACLE F.
(The Fritz Haber Res. Center for Molecular Dynamics, The Hebrew Univ. of Jerusalem, Jerusalem 91904, ISR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
4
ページ:
043107
発行年:
2010年01月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)