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文献
J-GLOBAL ID:201002242668371554   整理番号:10A0554912

極めて浅い接合の作成にホウ素に基づく低エネルギーイオン注入の損傷工学

Damage engineering of boron-based low energy ion implantations on ultrashallow junction fabrications
著者 (3件):
QIN Shu
(Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707)
HU Y. Jeff
(Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707)
MCTEER Allen
(Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

巻: 28  号:ページ: 588  発行年: 2010年05月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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