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文献
J-GLOBAL ID：201002242940883578
整理番号：10A1106772
長チャネル非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける低周波雑音
Low frequency noise in long channel amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors
FUNG Tze-ching
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...)
,
BAEK Gwanghyeon
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...)
,
KANICKI Jerzy
(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Solid-State Electronics Lab., Univ. of Michigan, Ann Arbor ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 7 ページ： 074518 発行年： 2010年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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