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文献
J-GLOBAL ID：201002243104437080
整理番号：10A1119012
新規のTiTeバッファー層型Cu-GeSbTe/SiO2電気化学抵抗メモリ(ReRAM)
A Novel TiTe Buffered Cu-GeSbTe/SiO2 Electrochemical Resistive Memory (ReRAM)
LIN Yu-Yu
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Feng-Ming
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Yi-Chou
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHIEN Wei-Chih
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
YEH Chiao-Wen
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH Kuang-Yeu
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Chih-Yuan
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010 ページ： 71-72 発行年： 2010年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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