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文献
J-GLOBAL ID：201002243396082147
整理番号：10A0598171
室温の深い紫外線照射による非晶質金属酸化物半導体の永久光ドーピング
Permanent optical doping of amorphous metal oxide semiconductors by deep ultraviolet irradiation at room temperature
SEO Hyungtak
(Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
,
CHO Young-je
(Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
,
KIM Jinwoo
(Dep. of Materials Sciences and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA)
,
M.BOBADE Santosh
(Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
,
PARK Kyoung-youn
(Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
,
LEE Jaegab
(School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR)
,
CHOI Duck-kyun
(Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 22 ページ： 222101 発行年： 2010年05月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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