文献
J-GLOBAL ID:201002243458023150
整理番号:10A0780312
高アスペクト比移植可能MEMS構造に対するウエハスケールエッチング技術
A wafer-scale etching technique for high aspect ratio implantable MEMS structures
著者 (4件):
BHANDARI R.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA)
,
NEGI S.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA)
,
RIETH L.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA)
,
SOLZBACHER F.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Utah, 50 South Central Campus Drive, Salt Lake City, UT 84112, USA)
資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻:
162
号:
1
ページ:
130-136
発行年:
2010年07月
JST資料番号:
B0345C
ISSN:
0924-4247
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)