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文献
J-GLOBAL ID：201002243659967645
整理番号：10A0356278
MoO3/有機半導体界面の電子構造と正孔注入性質に及ぼす汚染の影響
Effect of contamination on the electronic structure and hole-injection properties of MoO3/organic semiconductor interfaces
MEYER J.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA)
,
SHU A.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA)
,
KROEGER M.
(InnovationLab GmbH, Speyerer Strasse 4, 69115 Heidelberg, DEU)
,
KAHN A.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 13 ページ： 133308 発行年： 2010年03月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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