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文献
J-GLOBAL ID：201002243794149715
整理番号：10A0490870
半絶縁性InP基板上に成長させた薄膜横電流注入レーザの連続波動作
Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate
OKUMURA Tadashi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ITO Hitomi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KONDO Daisuke
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NISHIYAMA Nobuhiko
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI Shigehisa
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 1 ページ： 040205.1-040205.3 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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