文献
J-GLOBAL ID:201002243985412408
整理番号:10A0822930
強誘電半導体TlInS2の不整合相での活性化された不純物状態
Activated impurity states in the incommensurate phase of ferroelectric semiconductor TlInS2
著者 (3件):
SEYIDOV Mirhasan Yu.
(Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., Kocaeli, 41400 Gebze, TUR)
,
SULEYMANOV Rauf A.
(Dep. of Physics, Gebze Inst. of Technol., Kocaeli, 41400 Gebze, TUR)
,
SALEHLI Ferid
(Dep. of Physics, Istanbul Technical Univ., Maslak, 34469 Istanbul, TUR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
108
号:
2
ページ:
024111
発行年:
2010年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)