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文献
J-GLOBAL ID：201002244034314380
整理番号：10A1252753
定比組成Ge:Sb:Te非晶質膜の誘電緩和過程
Dielectric relaxation processes in stoichiometric Ge:Sb:Te amorphous films
SANTOS R. Ruiz
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...)
,
PROKHOROV E.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...)
,
PROKHOROV E.
(CINVESTAV del IPN, Unidad Queretaro, Queretaro, Qro., 76230, MEX)
,
GONZALEZ-HERNANDEZ J.
(Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C. and Laboratorio Nacional de Nanotecnologia, Chihuahua, Chih. ...)
,
LUNA-BARCENAS G.
(CINVESTAV del IPN, Unidad Queretaro, Queretaro, Qro., 76230, MEX)
,
KOVALENKO Yu.
(CIATEQ A.C, Queretaro, MEX)
資料名：
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 356 号： 44-49 ページ： 2541-2545 発行年： 2010年10月01日
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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