文献
J-GLOBAL ID:201002244183880500
整理番号:10A1054212
スケーリングされた酸化金属半導体電界効果トランジスターの等価ノイズ温度表示
Equivalent Noise Temperature Representation for Scaled MOSFETs
著者 (4件):
SHIMOMURA Hiroshi
(Panasonic Corp., Nagaokakyo-shi, JPN)
,
SHIMOMURA Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
,
KAKUSHIMA Kuniyuki
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
,
IWAI Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E93-C
号:
10
ページ:
1550-1552
発行年:
2010年10月01日
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)