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文献
J-GLOBAL ID:201002244397719854   整理番号:10A0467464

シリコンと直接接触の高k誘電体に関するケイ酸ランタンの界面および電気的性質

Interface and electrical properties of La-silicate for direct contact of high-k with silicon
著者 (12件):
KAKUSHIMA K.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...)
TACHI K.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
ADACHI M.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
OKAMOTO K.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
SATO S.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
SONG J.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
KAWANAGO T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
AHMET P.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
TSUTSUI K.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...)
SUGII N.
(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku ...)
HATTORI T.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
IWAI H.
(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)

資料名:
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

巻: 54  号:ページ: 715-719  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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