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文献
J-GLOBAL ID：201002245441081320
整理番号：10A0846294
p型ラストバリアが青色InGaN発光ダイオードの効率垂下に及ぼす影響
Effect of P-Type Last Barrier on Efficiency Droop of Blue InGaN Light-Emitting Diodes
KUO Yen-Kuang
(National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN)
,
TSAI Miao-Chan
(National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN)
,
YEN Sheng-Horng
(Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSU Ta-Cheng
(Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
SHEN Yu-Jiun
(Epistar Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46 号： 7-8 ページ： 1214-1220 発行年： 2010年07月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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