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文献
J-GLOBAL ID：201002245511924753
整理番号：10A0611063
新SiH4-NH3処理による効果的表面パシベーションと界面加工高移動度HfO2ゲートGe pMOSFETのBTI特性
Effective Surface Passivation by Novel SiH4-NH3 Treatment and BTI Characteristics on Interface-Engineered High-Mobility HfO2-Gated Ge pMOSFETs
XIE Ruilong
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
,
PHUNG Thanh Hoa
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YU Mingbin
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
,
ZHU Chunxiang
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 6 ページ： 1399-1407 発行年： 2010年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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