文献
J-GLOBAL ID:201002246048649779
整理番号:10A0826391
H,Si及びArイオン注入したシリコンウエハ表面の光電閾値
Photoelectric threshold of silicon wafer surfaces implanted with H, Si and Ar ions
著者 (6件):
MOMOSE Y.
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
KOSAKA S.
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
SAKURAI T.
(Ashikaga Inst. of Technol., Ashikaga, JPN)
,
YANAGISAWA M.
(Waseda Uuniversity, Tokyo, JPN)
,
NAKAYAMA K.
(Chiba Inst. of Technol., Narashino, JPN)
,
NAKAYAMA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名:
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻:
42
号:
6/7
ページ:
1333-1337
発行年:
2010年06月
JST資料番号:
E0709A
ISSN:
0142-2421
CODEN:
SIANDQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)