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文献
J-GLOBAL ID：201002246334359460
整理番号：10A0924586
異なる井戸構造を用いた45nm SRAMに関するSEE試験とモデリング結果
SEE test and modeling results on 45nm SRAMs with different well strategies
GASIOT Gilles
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
UZNANSKI Slawosz
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ROCHE Philippe
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1 ページ： 407-410 発行年： 2010年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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