文献
J-GLOBAL ID:201002246495494243
整理番号:10A1539012
反応蒸発により調製した窒化シリコン膜中のEr3+の間接型励起
Indirect excitation of Er3+ ions in silicon nitride films prepared by reactive evaporation
著者 (5件):
STEVELER E.
(Inst. Jean Lamour, UPVM, CNRS, Nancy-University, Boulevard des Aiguillettes, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy ...)
,
RINNERT H.
(Inst. Jean Lamour, UPVM, CNRS, Nancy-University, Boulevard des Aiguillettes, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy ...)
,
DEVAUX X.
(Inst. Jean Lamour, UPVM, CNRS, Nancy-University, Boulevard des Aiguillettes, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy ...)
,
DOSSOT M.
(Lab. de Chimie Physique et Microbiologie pour l’Environnement, UMR 7564 CNRS-Nancy-University, 405, rue de ...)
,
VERGNAT M.
(Inst. Jean Lamour, UPVM, CNRS, Nancy-University, Boulevard des Aiguillettes, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
22
ページ:
221902
発行年:
2010年11月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)