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文献
J-GLOBAL ID：201002247523289495
整理番号：10A0350386
fmaxが300GHzのAlGaN/GaN HEMT
AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
CHUNG Jinwook W.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
HOKE William E.
(Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA)
,
CHUMBES Eduardo M.
(Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA)
,
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 3 ページ： 195-197 発行年： 2010年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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