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J-GLOBAL ID:201002247523289495   整理番号:10A0350386

fmaxが300GHzのAlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax
著者 (4件):
CHUNG Jinwook W.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
HOKE William E.
(Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA)
CHUMBES Eduardo M.
(Raytheon Integrated Defense Systems, MA, USA)
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 31  号:ページ: 195-197  発行年: 2010年03月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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