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文献
J-GLOBAL ID：201002247547582860
整理番号：10A0727699
ミリ波応用のための(InxGa1-xAs)m/(InAs)n超格子チャネル構造を用いたメタモルフィック高電子移動度トランジスタのRF性能向上
RF Performance Improvement of Metamorphic High-Electron Mobility Transistor Using (InxGa1-xAs)m/(InAs)n Superlattice-Channel Structure for Millimeter-Wave Applications
KUO Chien-I
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU Heng-Tung
(Yuan Ze Univ., Chung Li, TWN)
,
CHEN Yu-Lin
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Chien-Ying
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Edward Yi
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TSERN Wen-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SAHOO Kartik Chandra
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 7 ページ： 677-679 発行年： 2010年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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