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文献
J-GLOBAL ID：201002248361213500
整理番号：10A0491173
相補型金属-酸化物-半導体回路のバックエンド金属線上に集積した磁気トンネル接合の性能
The Performance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-End Metal Line of Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Circuits
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IGA Fumitaka
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IKEDA Shoji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIURA Katsuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIURA Katsuya
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
HAYAKAWA Jun
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAMIYANAGI Masashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HASEGAWA Haruhiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HANYU Takahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHNO Hideo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DM06.1-04DM06.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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