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文献
J-GLOBAL ID：201002248887155296
整理番号：10A1066050
独立型DG FinFETによるTiN FinFET SRAM電池の可変性解析とその補償
Variability Analysis of TiN FinFET SRAM Cells and Its Compensation by Independent-DG FinFETs
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
O’UCHI Shin-ichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHIKAWA Yuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
LIU Yongxun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO Kunihiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TSUKADA Junichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI Hiromi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 10 ページ： 1095-1097 発行年： 2010年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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