前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002249311232526
整理番号：10A1127518
ナノスケールエピタキシャル横方向被覆成長によるサファイア上のInGaNベースエピ層の結晶品質の改善
Improvement in Crystalline Quality of InGaN-Based Epilayer on Sapphire via Nanoscaled Epitaxial Lateral Overgrowth
CHIU Ching-Hsueh
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Da-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LI Zhen-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Chin-Hua
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHAO Chu-Li
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
TU Chia-Cheng
(Chung Yuan Christian Univ., Chungli, TWN)
,
KUO Hao-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LU Tien-Chang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WANG Shing-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 10 ページ： 105501.1-105501.5 発行年： 2010年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。