前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002249526114621
整理番号：10A0884301
埋込みSiO2ピラーと空気間隙配列構造を有するGaN系発光ダイオード
GaN-based light emitting diodes with embedded SiO2 pillars and air gap array structures
LAI Wei-chih
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
,
YANG Ya-yu
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
,
PENG Li-chi
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
,
YANG Shih-wei
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
,
LIN Yu-ru
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
,
SHEU Jinn-kong
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced Optoelectronic ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 8 ページ： 081103 発行年： 2010年08月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。