文献
J-GLOBAL ID:201002249735454740
整理番号:10A1465415
窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性
Frequency Characteristics of Vacuum Transistor Using Hafnium Nitride Field Emitter Array
著者 (4件):
池田啓太
(京大 大学院工学研究科)
,
大上航
(京大 大学院工学研究科)
,
後藤康仁
(京大 大学院工学研究科)
,
辻博司
(京大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
110
号:
249(ED2010 128-141)
ページ:
47-50
発行年:
2010年10月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)