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文献
J-GLOBAL ID:201002250005598132   整理番号:10A0823367

三次元回折プロファイル分析を用いて決定したエピタキシャルSrTiO3/Si(001)の形態

Morphology of epitaxial SrTiO3/Si (001) determined using three-dimensional diffraction profile analysis
著者 (5件):
SEGAL Y.
(Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284)
REINER J. W.
(Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284)
ZHANG Z.
(Advanced Photon Source, Argonne National Lab., 9700 South Cass Avenue, Argonne, Illinois 60439)
AHN C. H.
(Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut ...)
WALKER F. J.
(Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

巻: 28  号:ページ: C5B1  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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