文献
J-GLOBAL ID:201002250488487026
整理番号:10A0898646
光学的リソグラフィ過程による自己整合局所チャネルVゲートを用いた高度にスケールされたシリコンナノワイヤゲートオールアラウンド金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの製作
Fabrication of Highly Scaled Silicon Nanowire Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Using Self-Aligned Local-Channel V-gate by Optical Lithography Process
著者 (6件):
PARK Jae Hyun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SONG Jae Young
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jong Pil
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sang Wan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YUN Jang-Gn
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
8,Issue 1
ページ:
084203.1-084203.5
発行年:
2010年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)