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文献
J-GLOBAL ID：201002250880445161
整理番号：10A0387921
OTCP法を用いたLOCOSアイソレーションを有するLDDトランジスタの有効短及び狭チャネルにおける放射線効果評価
Radiation Effect Evaluation in Effective Short and Narrow Channels of LDD Transistor With LOCOS Isolation Using OTCP Method
TAHI Hakim
(Centre de Developpement des Technol. Avancees, Algiers, DZA)
,
DJEZZAR Boualem
(Centre de Developpement des Technol. Avancees, Algiers, DZA)
,
NADJI Bacharia
(Univ. M’hamed Bougara de Boumerdes, Boumerdes, DZA)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10 号： 1 ページ： 108-115 発行年： 2010年03月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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