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文献
J-GLOBAL ID：201002251143746726
整理番号：10A1124904
Si(100)とGe(100)基板上への六方La2O3膜のO3ベース原子層堆積
O3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films on Si(100) and Ge(100) substrates
LAMAGNA L.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
WIEMER C.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
PEREGO M.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
VOLKOS S. N.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
BALDOVINO S.
(Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita degli Studi di Milano-Bicocca, 20126 Milano, ITA)
,
TSOUTSOU D.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
SCHAMM-CHARDON S.
(nMat group, CEMES-CNRS, Univ. de Toulouse, BP 94347, 31055 Toulouse cedex 4, FRA)
,
COULON P. E.
(nMat group, CEMES-CNRS, Univ. de Toulouse, BP 94347, 31055 Toulouse cedex 4, FRA)
,
FANCIULLI M.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 8 ページ： 084108 発行年： 2010年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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