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文献
J-GLOBAL ID：201002251427996064
整理番号：10A0435408
光ルミネセンスによるCzochralskiー成長TeドーピングGaSb中の自然欠陥の濃度
Native defect concentration in Czochralski-grown Te-doped GaSb by photoluminescence
VLASOV A.s.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
RAKOVA E.p.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
KHVOSTIKOV V.p.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
SOROKINA S.v.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
KALINOVSKY V.s.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
SHVARTS M.z.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
,
ANDREEV V.m.
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94 号： 6 ページ： 1113-1117 発行年： 2010年06月
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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