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文献
J-GLOBAL ID：201002252246035549
整理番号：10A0565040
単層及び多層グラフェン電界効果トランジスタの固有チャンネル特性と接触抵抗の系統的研究
Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor
NAGASHIO Kosuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KITA Koji
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 5,Issue 1 ページ： 051304.1-051304.6 発行年： 2010年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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