文献
J-GLOBAL ID:201002252655530349
整理番号:10A0491011
pチャネル金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタに関する前方ボディ-バイアス増強負バイアス温度不安定性回復
Forward-Body-Bias-Enhanced Negative Bias Temperature Instability Recovery of p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (6件):
HE Yandong
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
DU Gang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
YANG Yunxiang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Ganggang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Xing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Yangyuan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
4,Issue 2
ページ:
04DC25.1-04DC25.3
発行年:
2010年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)