文献
J-GLOBAL ID:201002254020009181
整理番号:10A0387911
高VGS PFET DCホットキャリア機構及びAC劣化へのその関係
High-VGS PFET DC Hot-Carrier Mechanism and Its Relation to AC Degradation
著者 (3件):
RAUCH Stewart E., III
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
GUARIN Fernando
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
LA ROSA Giuseppe
(IBM Microelectronics, NY, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
10
号:
1
ページ:
40-46
発行年:
2010年03月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)