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文献
J-GLOBAL ID：201002254449108846
整理番号：10A0335963
シンチレーション応用のためのYAGとLuAGのエピタキシャル膜の成長と評価
Growth and characterization of YAG and LuAG epitaxial films for scintillation applications
KUCERA M.
(Charles Univ., Fac. of Mathematics and Physics, Ke Karlovu 5, 12116 Prague 2, CZE)
,
NITSCH K.
(Inst. of Physics, Acad. of Sciences CR, Cukrovarnicka 10, 16000 Prague 6, CZE)
,
NIKL M.
(Inst. of Physics, Acad. of Sciences CR, Cukrovarnicka 10, 16000 Prague 6, CZE)
,
HANUS M.
(Charles Univ., Fac. of Mathematics and Physics, Ke Karlovu 5, 12116 Prague 2, CZE)
,
DANIS S.
(Charles Univ., Fac. of Mathematics and Physics, Ke Karlovu 5, 12116 Prague 2, CZE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 312 号： 9 ページ： 1538-1545 発行年： 2010年04月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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