前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002254786019120
整理番号：10A0492398
InGaNのチャネルを持つ窒化物を基本とする二次元ヘテロ構造における移動度を制限する散乱機構
Mobility limiting scattering mechanisms in nitride-based two-dimensional heterostructures with the InGaN channel
GOEKDEN S
(Balikesir Univ., Balikesir, TUR)
,
TUELEK R
(Balikesir Univ., Balikesir, TUR)
,
TEKE A
(Balikesir Univ., Balikesir, TUR)
,
LEACH J H
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
FAN Q
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
XIE J
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
OEZGUER UE
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
MORKOC H
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
LISESIVDIN S B
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
,
LISESIVDIN S B
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
OEZBAY E
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 25 号： 4 ページ： 045024,1-7 発行年： 2010年04月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。