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文献
J-GLOBAL ID：201002254815821305
整理番号：10A0356259
La及びAl誘起双極子がある極端にスケーリングしたSiO2/HfO2ゲートスタックにおける移動度劣化の物理的原因
Physical origins of mobility degradation in extremely scaled SiO2/HfO2 gate stacks with La and Al induced dipoles
ANDO Takashi
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
COPEL Matt
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
BRULEY John
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
FRANK Martin M.
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
WATANABE Heiji
(Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
NARAYANAN Vijay
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 13 ページ： 132904 発行年： 2010年03月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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