文献
J-GLOBAL ID:201002254993121139
整理番号:10A0238308
種々のプロセスパラメータを考慮したシリコンの方向性凝固中におけるO,N,C含有および関連析出物形成のモデリング
Modeling of incorporation of O, N, C and formation of related precipitates during directional solidification of silicon under consideration of variable processing parameters
著者 (8件):
REIMANN C.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
REIMANN C.
(Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU)
,
TREMPA M.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
JUNG T.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
FRIEDRICH J.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
FRIEDRICH J.
(Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU)
,
MUELLER G.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
,
MUELLER G.
(Crystal Consulting, Birkenstrasse 17, 91094 Langensendelbach, DEU)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
312
号:
7
ページ:
878-885
発行年:
2010年03月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)