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J-GLOBAL ID:201002254993121139   整理番号:10A0238308

種々のプロセスパラメータを考慮したシリコンの方向性凝固中におけるO,N,C含有および関連析出物形成のモデリング

Modeling of incorporation of O, N, C and formation of related precipitates during directional solidification of silicon under consideration of variable processing parameters
著者 (8件):
REIMANN C.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
REIMANN C.
(Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU)
TREMPA M.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
JUNG T.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
FRIEDRICH J.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
FRIEDRICH J.
(Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU)
MUELLER G.
(Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU)
MUELLER G.
(Crystal Consulting, Birkenstrasse 17, 91094 Langensendelbach, DEU)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 312  号:ページ: 878-885  発行年: 2010年03月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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