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文献
J-GLOBAL ID：201002255033576537
整理番号：10A0220939
独立型CVDダイヤモンド基板上に設けたAlGaN/GaN HEMTのフルウエハ特性評価
Full-Wafer Characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Free-Standing CVD Diamond Substrates
CHABAK Kelson D.
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
GILLESPIE James K.
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
MILLER Virginia
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
CRESPO Antonio
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
ROUSSOS Jason
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
TREJO Manuel
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
WALKER Dennis E., Jr.
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
WALKER Dennis E., Jr.
(Wyle Lab., OH, USA)
,
VIA Glen D.
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
JESSEN Gregg H.
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
WASSERBAUER John
(Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
,
FAILI Firooz
(Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
,
BABIC Dubravko I.
(Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
,
FRANCIS Daniel
(Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
,
EJECKAM Felix
(Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 2 ページ： 99-101 発行年： 2010年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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