文献
J-GLOBAL ID:201002255101696821
整理番号:10A0343702
ゲートファーストプロセスによる遠隔界面層洗浄技術及びVtチューニング双極子を用いた極端スケールHfO2(EOT0.42nm)における移動度機構の理解
Understanding Mobility Mechanisms in Extremely Scaled HfO2 (EOT 0.42nm) Using Remote Interfacial Layer Scavenging Technique and Vt-tuning Dipoles with Gate-First Process
著者 (14件):
ANDO T.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
FRANK M. M.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
CHOI K.
(GLOBALFOUNDRIES, NY, USA)
,
CHOI C.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
BRULEY J.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
HOPSTAKEN M.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
COPEL M.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
CARTIER E.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
KERBER A.
(GLOBALFOUNDRIES, NY, USA)
,
CALLEGARI A.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
LACEY D.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
BROWN S.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
YANG Q.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
,
NARAYANAN V.
(IBM T.J. Watson Res. Center)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2009
ページ:
394-397
発行年:
2009年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)