文献
J-GLOBAL ID:201002255378691525
整理番号:10A0924983
電流コラプス,メモリ効果無しのGaN HEMT
Current Collapse, Memory Effect Free GaN HEMT
著者 (3件):
WEN Cheng P.
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Jinyan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HAO Yilong
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
2010 Vol.1
ページ:
186-190
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)