文献
J-GLOBAL ID:201002255841013604
整理番号:10A0827748
層状のナノ結晶炭化ケイ素ポリタイプを基本とするヘテロ構造の作製
Fabrication of Heterostructures Based on Layered Nanocrystalline Silicon Carbide Polytypes
著者 (5件):
SEMENOV A.V.
(Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR)
,
LOPIN A.V.
(Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR)
,
PUZIKOV V.M.
(Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR)
,
BAUMER V.N.
(Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR)
,
DMITRUK I.N.
(Inst. Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kiev, UKR)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
44
号:
6
ページ:
816-823
発行年:
2010年06月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)