文献
J-GLOBAL ID:201002256213744914
整理番号:10A1330491
ZnOとIGZOを用いた薄膜トランジスタに及ぼす機械的曲げの影響
Impact of Mechanical Bending on ZnO and IGZO Thin-Film Transistors
著者 (3件):
CHERENACK Kunigunde H.
(Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE)
,
MUENZENRIEDER Niko S.
(Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE)
,
TROESTER Gerhard
(Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
31
号:
11
ページ:
1254-1256
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)