文献
J-GLOBAL ID:201002256245400435
整理番号:10A0093922
強誘電膜における完全に反転した1桁ナノメートル分域
Fully inverted single-digit nanometer domains in ferroelectric films
著者 (7件):
TAYEBI Noureddine
(Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA)
,
NARUI Yoshie
(Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA)
,
FRANKLIN Nathan
(Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA)
,
COLLIER C. Patrick
(Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA)
,
GIAPIS Konstantinos P.
(Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA)
,
NISHI Yoshio
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
ZHANG Yuegang
(Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
2
ページ:
023103
発行年:
2010年01月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)