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文献
J-GLOBAL ID：201002256647312788
整理番号：10A0772331
原子的に平坦なシリコン表面上での高インテグリティゲート絶縁体膜
High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface
LI X.
(Tohoku Univ.)
,
KURODA R.
(Tohoku Univ.)
,
SUWA T.
(Tohoku Univ.)
,
TERAMOTO A.
(Tohoku Univ.)
,
SUGAWA S.
(Tohoku Univ.)
,
OHMI T.
(Tohoku Univ.)
,
OHMI T.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 110(SDM2010 49-123) ページ： 183-188 発行年： 2010年06月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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