文献
J-GLOBAL ID:201002256844773606
整理番号:10A0884334
シリコン金属-酸素-半導体電界効果トランジスタにおけるゲート制御磁気抵抗
Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
著者 (5件):
CICCARELLI C.
(Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
PARK B. G.
(Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
OGAWA S.
(Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
FERGUSON A. J.
(Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
WUNDERLICH J.
(Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom and Inst. of Physics ASCR, v.v.i., Cukrovarnicka 10, 162 ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
8
ページ:
082106
発行年:
2010年08月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)