文献
J-GLOBAL ID:201002257263386489
整理番号:10A1200438
Schottky障壁を備えたa-Si:Hを基本とする薄膜トランジスタにおけるコンダクタンスのシミュレーション
Conductance Simulation in an a-Si:H Thin-Film Transistor with Schottky Barriers
著者 (2件):
VISHNYAKOV A. V.
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
EFREMOV M. D.
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
44
号:
9
ページ:
1249-1252
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)