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文献
J-GLOBAL ID：201002257392737590
整理番号：10A0373941
イオン注入と閃光ランプ焼なましにより作製した大量Gaドープゲルマニウム層
Heavily Ga-doped germanium layers produced by ion implantation and flash lamp annealing: Structure and electrical activation
HEERA V.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
MUECKLICH A.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
POSSELT M.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
VOELSKOW M.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
WUENDISCH C.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
SCHMIDT B.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
SKROTZKI R.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
HEINIG K. H.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
HERRMANNSDOERFER T.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
,
SKORUPA W.
(Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 5 ページ： 053508 発行年： 2010年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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