文献
J-GLOBAL ID:201002257427863267
整理番号:10A0617807
前方傾斜組成ZnSySe1-y/GaAs(001)ヘテロ構造中の非対称転位密度
Asymmetric Dislocation Densities in Forward-Graded ZnSySe1-y/GaAs (001) Heterostructures
著者 (7件):
OCAMPO J. F.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
BERTOLI B.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
RAGO P. B.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
SUAREZ E. N.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
SHAH D.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
JAIN F. C.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
,
AYERS J. E.
(Univ. Connecticut, CT, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
39
号:
4
ページ:
391-399
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)