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文献
J-GLOBAL ID：201002257524235122
整理番号：10A0177929
固相結晶化法により調製した水素ドープIn2O3透明導電性酸化物膜
Hydrogen-doped In2O3 transparent conducting oxide films prepared by solid-phase crystallization method
KOIDA Takashi
(Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
,
KONDO Michio
(Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
,
TSUTSUMI Koichi
(J. A. Woolam Japan Corp., Fuji 2F, 5-22-9, Ogikubo, Suginami, Tokyo 167-0051, JPN)
,
SAKAGUCHI Akio
(J. A. Woolam Japan Corp., Fuji 2F, 5-22-9, Ogikubo, Suginami, Tokyo 167-0051, JPN)
,
SUZUKI Michio
(J. A. Woolam Japan Corp., Fuji 2F, 5-22-9, Ogikubo, Suginami, Tokyo 167-0051, JPN)
,
FUJIWARA Hiroyuki
(Center for Innovative Photovoltaic Center, Gifu Univ., 1-1, Yanagito, Gifu 501-1193, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 3 ページ： 033514 発行年： 2010年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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