文献
J-GLOBAL ID:201002257524495710
整理番号:10A0127908
その場SiNx処理によるHVPE成長GaNエピ層における転位密度の低減
Reduction of the dislocation density in HVPE-grown GaN epi-layers by an in situ SiN x treatment
著者 (7件):
ASHRAF H.
(Applied Materials Sci. (AMS), Inst. for Molecules and Materials (IMM), Radboud Univ. Nijmegen, Heyendaalsweg 135 ...)
,
SRIDHARA RAO D.v.
(Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
,
GOGOVA D.
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU)
,
SICHE D.
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU)
,
FORNARI R.
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU)
,
HUMPHREYS C.j.
(Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
,
HAGEMAN P.r.
(Applied Materials Sci. (AMS), Inst. for Molecules and Materials (IMM), Radboud Univ. Nijmegen, Heyendaalsweg 135 ...)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
312
号:
4
ページ:
595-600
発行年:
2010年02月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)